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IRFI530N中文资料

IRFI530N图片

IRFI530N外观图

  • 大小：133.49KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：HEXFET?? Power MOSFET
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：110 毫欧 @ 6.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：640pF @ 25V
  • 功率 - 最大：41W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装：TO-220AB 整包
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRFI530N

IRFI530N供应商

更新时间:2023-01-01 09:01:32
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